行业专家：HBM4价格或将在明年翻倍

根据DigiTimes周五发布的行业报告，业内人士表示，价将明受人工智能需求激增以及产能瓶颈的格或影响，预计高带宽内存（HBM）价格将在2027年前翻倍。年翻专家预计，行业下一代HBM4的价将明价格可能从2026年下半年约为2美元/千兆比特上升至4至5美元甚至更高。

这一现象主要是格或因为HBM4的生产流程极为复杂，其制造周期通常为四到六个月，年翻且初期良率较低。行业同时，价将明HBM的格或生产所需的晶圆容量大约是标准DDR5 DRAM的三倍，这对制造商在现有设备上生产总内存量造成了严重限制。年翻

进一步加剧供应紧张的行业是，当前全球三大主要HBM生产商——三星电子、价将明SK海力士（SKHY.US）和美光科技（MU.US）已通过与主要AI客户签订为期三到五年的格或长期协议，锁定了全球内存供应。DigiTimes预测，到2027年，全球DRAM总产能中约有一半将无法提供给小型买家。

尽管英伟达即将推出的Rubin架构将加速HBM4的开发，内存制造商仍面临意外的经济权衡：标准服务器内存市场异常强劲。今年，一些供应商的DDR5利润率已突破80%，这迫使芯片制造商要求更高的HBM定价，以证明从传统DRAM生产线转移的合理性。

在华尔街，这种结构性的紧张供应预期将继续推动存储芯片股票的表现。本周五，SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在美国市场首次亮相，创下265亿美元的历史发行规模，其股价显著高于首尔本地股价，显示出人工智能存储领域交易的强劲态势。

尽管近期市场对科技巨头可能削减基础设施支出存在担忧，但供应链渠道消息显示，预计到2027年，人工智能硬件仍将面临根本性的供应不足。因此，预计到2026年底，芯片供应商在合同谈判中的价格优势将使尚未签约的消费电子制造商面临严重的供应短缺风险。

本文转载自“财联社”；官网编辑：黄晓冬。